界面抵抗RIAの大きさは、酸化マグネシウム層の厚さを変えることで制御した。界面抵抗の増加（酸化マグネシウム膜厚の増加）に伴い、△Rs（出力信号に相当）は増加する。点は実験値、実線は理論解析の結果を示している。
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