図5．磁場が5Tで測定された磁気抵抗率の実験値、及びTMR効果の理論モデルにC₆₀-Co化合物中のスピンの影響を考慮した磁気抵抗率の計算値。実験値は、磁気抵抗率の電圧に対する依存性を電圧=0Vへ外挿した値(図２を参照)を示す。○、△、□は、組成比の異なる試料による実験結果を表す。