平成１８年２月２１日 独立行政法人 日本原子力研究開発機構

放射光を用いたガリウムひ素半導体成長モニターの開発

独立行政法人日本原子力研究開発機構【】(以下、「原子力機構」と言う）は、大型放射光施設SPring-8の放射光X線を用いて、結晶成長中の半導体表面の原子配列と原子の種類とを同時に特定できる画期的なモニター手法を開発した。これは、原子力機構・量子ビーム応用研究部門・X線量子ダイナミックス研究グループの高橋正光副主任研究員らによる成果である。 　この成果を利用することで、半導体製造過程をより精密に制御できるようになり、携帯電話・無線LAN・光通信・カーナビなどに使われる半導体素子の性能向上や、新素子開発の迅速化が期待できる。 　今回、原子力機構では、半導体素子を作製する結晶成長装置をSPring-8のビームラインに組み込み、結晶成長中のガリウムひ素半導体１）の表面を観察した。従来技術では、白黒の影絵に相当する原子配列の骨格だけが得られていたのに対し、原子力機構では、複数の波長のX線を用い、原子の種類が特定されるカラー画像相当の構造を得ることに成功した。その結果、結晶成長中に現れるc(4x4)と呼ばれる表面２）が、ガリウムとひ素の原子のペアーからできていることが実験的に初めて確認された。 　本成果は、米国物理学会の学術誌"Physical Review Letters"の2月8日の電子版及び2月10日の印刷版（第96巻第5号）に掲載された。 　放射光を用いたガリウムひ素半導体成長モニターの開発 　補足説明 　用語説明

以　上

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